Hynix DDR2 667 SO-DIMM 512Mb
Ви знаходитесь на персональній сторінці товару Hynix DDR2 667 SO-DIMM 512Mb.
Тут можна ознайомитися з фотографіями моделі, вивчити технічні характеристики DDR2 667 SO-DIMM 512Mb, прочитати відгуки власників, а також вибрати найкращу ціну від провідних інтернет-магазинів України.
Якщо яка-небудь інформація здалася вам цікавою та важливою, ви завжди можете поділитися нею з друзями за допомогою кнопок найбільш популярних соціальних мереж.
На вкладці "Ціни" представлені актуальні пропозиції від українських магазинів. Найпопулярніші пропозиції розташовані в блоці "Де купити?", а повний список цін на різні модифікації та колірні рішення для Hynix DDR2 667 SO-DIMM 512Mb наведений в нижній частині сторінки.
Перейшовши на вкладку "Характеристики" ви можете ознайомитися з докладним технічним описом DDR2 667 SO-DIMM 512Mb. Якщо ви хочете порівняти вибраний продукт з іншими моделями модулів пам’яті (RAM) Hynix, то натисніть на сторінці вашого вибору посилання "Додати до порівняння" і перейдіть на сторінку порівняння товарів за характеристиками.
На вкладці "Відгуки" ви можете прочитати відгуки власників Hynix DDR2 667 SO-DIMM 512Mb, в яких виділені всі плюси і мінуси даної моделі. Ви можете проголосувати за відгуки, які здалися вам найбільш корисними, що дозволить підняти їх вгору сторінки. Ми будемо вдячні за ваш розгорнутий відгук про DDR2 667 SO-DIMM 512Mb.
На вкладці "Динаміка цін" ви побачите графік зміни цін на Hynix DDR2 667 SO-DIMM 512Mb, графік коливань кількості пропозицій від інтернет-магазинів, а також графік зміни попиту на дану модель. Представлена динаміка допоможе вам визначитися: купити товар зараз або почекати зниження ціни.
Уся наведена інформація допоможе вам вибрати кращу пропозицію від інтернет-магазинів України і зробити своєчасну покупку, яка ще довго буде радувати вас своєю якістю.
DDR2, 667 МГц, 5300 Мб/с, SODIMM 200-контактный, 1 модуль 512 Мб, 1.8 В, CL 1.8 В
Де купити ?
Товар відсутній у продажу в магазинах системи.
Характеристики
Загальні характеристики | |
Тип памяти | DDR2 |
Тактовая частота | 667 МГц |
Объем | 1 модуль 512 Мб |
Буферизованная (Registered) | нет |
Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
Пропускная способность | 5300 Мб/с |
Поддержка ECC | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги | |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 5 |
CAS Latency (CL) | 5 |
Row Precharge Delay (tRP) | 5 |
Додатково | |
Упаковка чипов | 8, двусторонняя упаковка |
Количество ранков | 2 |
Напряжение питания | 1.8 В |