Hynix DDR 333 SO-DIMM 1Gb
Немає у продажу
DDR, 333 МГц, 2700 Мб/с, SODIMM 200-контактный, 1 модуль 1 Гб, 2.6 В, CL 2.6 В
Де купити ?
Товар відсутній у продажу в магазинах системи.
Характеристики
Загальні характеристики | |
Поддержка ECC | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тип памяти | DDR |
Тактовая частота | 333 МГц |
Объем | 1 модуль 1 Гб |
Буферизованная (Registered) | нет |
Форм-фактор | SODIMM 200-контактный |
Пропускная способность | 2700 Мб/с |
Тайминги | |
Row Precharge Delay (tRP) | 3 |
CAS Latency (CL) | 2.5 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 3 |
Додатково | |
Напряжение питания | 2.6 В |
Количество ранков | 2 |
Упаковка чипов | 16, двусторонняя упаковка |